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解决方案
第三代半导体
1.半导体简介
半导体(英语：Semiconductor)是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，半导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带宽度不同。
产业上，半导体所谓的“代”的划分，指的是依据材料划分：
【第一代半导体】主要指的是以硅(Si)和锗(Ge)作为材料的半导体器件。
【第二代半导体】指的是以砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)为主的化合物半导体。
【第三代半导体】包括了以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带化合物半导体。碳化硅及氮化镓在材料性能上各有优劣，因此在应用领域上各有侧重及互补。
2.碳化硅晶片加工解决方案
在第三代半导体材料中，SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、热导率大等特点，可应用于1200伏特以上的高压环境，因此在严苛环境中有着明显优势，可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。
然而，由于SiC晶体具有高硬、高脆、耐磨性好、化学性质极其稳定的特点，使得SiC晶片的加工变得非常困难。而金刚石是已知自然存在最坚硬的物质，最适合用来加工SiC晶片。
SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：多线切割、双面粗磨、双面精磨、双面化学机械抛光和Si面CMP。
多线切割（MWS）加工效果
| 参数 | 加工数据 |
| 切割时间（h） | 100-120 |
| TTV（um） | <10 |
| Warp（um） | <30 |
| Bow（um） | <15 |
双面粗磨DSL加工效果
| 参数 | 加工数据 |
| 去除率（um/min） | 1-1.5 |
| TTV（um） | <2 |
| Warp（um） | 15-30 |
| Bow（um） | <10 |
双面精磨DMP加工结果
| 参数 | 加工数据 |
| 去除率（um/min） | 0.3-0.4 |
| TTV（um） | <2 |
| Ra（nm） | <1 |
3.氮化镓晶片加工解决方案
氮化镓(GaN)作为典型的第三代半导体材料，制备技术的难点在于晶圆制备工艺，由于制备氮化镓的单晶材料无法从自然界中直接获取，所以氮化镓的主要制备方法是在蓝宝石、碳化硅、硅等异质衬底上进行外延。
目前 GaN 器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子、干扰、雷达等领域;在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。未来将广泛应用于 5G 基站、 新能源汽车、 特高压、 数据中心等场景。
氮化镓衬底片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：双面研磨、单面精磨、单面精抛。
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